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1N5802US

1N5802US

僅供參考

型號 1N5802US
PNEDA編號 1N5802US
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5802US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5802US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5802US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 50V
電容@ Vr,F25pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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150V

電流-平均整流(Io)

5A

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800mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

900ps

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 40V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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