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1N5811US

1N5811US

僅供參考

型號 1N5811US
PNEDA編號 1N5811US
描述 DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 15,936
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5811US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5811US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5811US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F60pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

4V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

8pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-80

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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