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1N5826

1N5826

僅供參考

型號 1N5826
PNEDA編號 1N5826
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價
1 ---------- $127.9516
50 ---------- $121.9539
100 ---------- $115.9562
200 ---------- $109.9584
400 ---------- $104.9603
500 ---------- $99.9622
庫存 65
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5826資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5826
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5826, 1N5826數據表 (總頁數: 3, 大小: 708.84 KB)
PDF1N5828R數據表 封面
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1N5826規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果440mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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2.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

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TO-220AC

工作溫度-結點

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

電容@ Vr,F

1400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

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1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

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