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1N5832

1N5832

僅供參考

型號 1N5832
PNEDA編號 1N5832
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5832資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5832
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5832, 1N5832數據表 (總頁數: 3, 大小: 637.92 KB)
PDF1N5834R數據表 封面
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1N5832規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果520mV @ 40A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20mA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

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反向恢復時間(trr)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.4V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

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970mV @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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