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1N5950AP/TR12

1N5950AP/TR12

僅供參考

型號 1N5950AP/TR12
PNEDA編號 1N5950AP-TR12
描述 DIODE ZENER 110V 1.5W DO204AL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5950AP/TR12資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5950AP/TR12
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N5950AP/TR12規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)110V
公差±10%
功率-最大1.5W
阻抗(最大值)(閽zt)300 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 83.6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)

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阻抗(最大值)(閽zt)

35 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 20.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

24V

公差

±2.08%

功率-最大

250mW

阻抗(最大值)(閽zt)

70 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 17V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

5.6V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

24V

公差

±10%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF

供應商設備包裝

MELF DO-213AB

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±20%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

800 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 136.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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