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1N6001B_T50A

1N6001B_T50A

僅供參考

型號 1N6001B_T50A
PNEDA編號 1N6001B_T50A
描述 DIODE ZENER 11V 500MW DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6001B_T50A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6001B_T50A
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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1N6001B_T50A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)11V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)18 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 8.4V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 200°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

600 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 19V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

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-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

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