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1N6012B-TP

1N6012B-TP

僅供參考

型號 1N6012B-TP
PNEDA編號 1N6012B-TP
描述 DIODE ZENER 33V 500MW DO35
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 86,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6012B-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6012B-TP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N6012B-TP, 1N6012B-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 167.53 KB)
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1N6012B-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)33V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)88 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 25V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 100mA
工作溫度-65°C ~ 200°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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阻抗(最大值)(閽zt)

170 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 46V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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阻抗(最大值)(閽zt)

475 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 106.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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11V

公差

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功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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