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1N6642US/TR

1N6642US/TR

僅供參考

型號 1N6642US/TR
PNEDA編號 1N6642US-TR
描述 SWITCHING
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6642US/TR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6642US/TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N6642US/TR規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)300mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 75V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, D
供應商設備包裝D-5D
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 200V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

25A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 75A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.65V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

26ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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