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1N6761

1N6761

僅供參考

型號 1N6761
PNEDA編號 1N6761
描述 DIODE SCHOTTKY DO-41
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6761資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6761
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N6761規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果690mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
電容@ Vr,F70pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.23V @ 50A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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900V

電流-平均整流(Io)

1.4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 900V

電容@ Vr,F

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600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.4V @ 36A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

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電容@ Vr,F

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