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1N6761

1N6761

僅供參考

型號 1N6761
PNEDA編號 1N6761
描述 DIODE SCHOTTKY DO-41
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6761資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6761
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N6761規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果690mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 100V
電容@ Vr,F70pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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500V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

45pF @ 12V, 1MHz

安裝類型

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50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

170ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

750µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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