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1N8026-GA

1N8026-GA

僅供參考

型號 1N8026-GA
PNEDA編號 1N8026-GA
描述 DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N8026-GA資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N8026-GA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N8026-GA規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)8A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 2.5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1200V
電容@ Vr,F237pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-257-3
供應商設備包裝TO-257
工作溫度-結點-55°C ~ 250°C

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600V

電流-平均整流(Io)

1.4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

19pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-221AC

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

125A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

700ns

當前-反向泄漏@ Vr

45mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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