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1N829

1N829

僅供參考

型號 1N829
PNEDA編號 1N829
描述 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N829資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N829
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N829, 1N829數據表 (總頁數: 3, 大小: 213.17 KB)
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1N829規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)6.2V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)15 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 3V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35 (DO-204AH)

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

400 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 98.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

130V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

190 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 93.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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Comchip Technology

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電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

-

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10.19V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 9.44V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-80 QuadroMELF

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制造商

Microsemi Corporation

系列

*

電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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安裝類型

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