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1SS226,LF

1SS226,LF

僅供參考

型號 1SS226,LF
PNEDA編號 1SS226-LF
描述 PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS226資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS226,LF
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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1SS226規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置1 Pair Series Connection
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
工作溫度-結點125°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝S-Mini

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速度

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.23V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

27ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

800ps

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 30V

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