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1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17 1SS355VMTE-17

僅供參考

型號 1SS355VMTE-17
PNEDA編號 1SS355VMTE-17
描述 DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,563,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS355VMTE-17資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS355VMTE-17
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1SS355VMTE-17規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 80V
電容@ Vr,F3pF @ 0.5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-90, SOD-323F
供應商設備包裝UMD2
工作溫度-結點150°C (Max)

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

80pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

150°C (Max)

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Panasonic Electronic Components

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

85pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2.4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.1V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

19ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

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