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1SS427,L3M

1SS427,L3M

僅供參考

型號 1SS427,L3M
PNEDA編號 1SS427-L3M
描述 DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 270,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS427資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS427,L3M
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1SS427規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)1.6ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
電容@ Vr,F0.3pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-923
供應商設備包裝SOD-923
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 60V

電容@ Vr,F

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60V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

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