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1T3G R0G

1T3G R0G

僅供參考

型號 1T3G R0G
PNEDA編號 1T3G-R0G
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1T3G R0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1T3G R0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1T3G R0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱T-18, Axial
供應商設備包裝TS-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.26V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1600V

電容@ Vr,F

4pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

16pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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