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200HFR80PV

200HFR80PV

僅供參考

型號 200HFR80PV
PNEDA編號 200HFR80PV
描述 DIODE GEN PURP 800V 200A DO205AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

200HFR80PV資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號200HFR80PV
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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200HFR80PV規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.45V @ 628A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr15mA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Stud Mount
包裝/箱DO-205AC, DO-30, Stud
供應商設備包裝DO-205AC (DO-30)
工作溫度-結點-40°C ~ 180°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

455pF @ 0V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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