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20ETF04S

20ETF04S

僅供參考

型號 20ETF04S
PNEDA編號 20ETF04S
描述 DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

20ETF04S資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號20ETF04S
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
20ETF04S, 20ETF04S數據表 (總頁數: 7, 大小: 296.88 KB)
PDF20ETF06STRR數據表 封面
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20ETF04S規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)160ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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500V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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SOD-57

工作溫度-結點

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45V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

供應商設備包裝

SOD-123FL

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

V2FM15-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

eSMP®, TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.46V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Avalanche

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-64

工作溫度-結點

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Powerex Inc.

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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