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23LCV1024-I/P

23LCV1024-I/P

僅供參考

型號 23LCV1024-I/P
PNEDA編號 23LCV1024-I-P
描述 IC NVSRAM 1M SPI 20MHZ 8DIP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

23LCV1024-I/P資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號23LCV1024-I/P
類別半導體內存IC內存

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23LCV1024-I/P規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI - Dual I/O
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-DIP

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-LFBGA

供應商設備包裝

90-BGA (13x8)

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Toshiba Memory America, Inc.

制造商

Toshiba Memory America, Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

67-VFBGA

供應商設備包裝

67-VFBGA (6.5x8)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

48-SSOP

IS43R86400D-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP II

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