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24LC01BHT-E/MNY

24LC01BHT-E/MNY

僅供參考

型號 24LC01BHT-E/MNY
PNEDA編號 24LC01BHT-E-MNY
描述 IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

24LC01BHT-E/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號24LC01BHT-E/MNY
類別半導體內存IC內存

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24LC01BHT-E/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間900ns
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.3ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

144Kb (8K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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