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24LC01BT-E/MNY

24LC01BT-E/MNY

僅供參考

型號 24LC01BT-E/MNY
PNEDA編號 24LC01BT-E-MNY
描述 IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

24LC01BT-E/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號24LC01BT-E/MNY
類別半導體內存IC內存

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24LC01BT-E/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間3500ns
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

1Gb (1G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

66-TSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

1Gb (256M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-VFBGA

供應商設備包裝

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