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25AA160DT-I/MNY

25AA160DT-I/MNY

僅供參考

型號 25AA160DT-I/MNY
PNEDA編號 25AA160DT-I-MNY
描述 IC EEPROM 16K SPI 10MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

25AA160DT-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號25AA160DT-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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25AA160DT-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

64Gb (2G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

52-PQFP (10x10)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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