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25AA640AT-E/MNY

25AA640AT-E/MNY

僅供參考

型號 25AA640AT-E/MNY
PNEDA編號 25AA640AT-E-MNY
描述 IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

25AA640AT-E/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號25AA640AT-E/MNY
類別半導體內存IC內存

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25AA640AT-E/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

110ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-CerDip

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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包裝/箱

64-LBGA

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