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25C080T/SN

25C080T/SN

僅供參考

型號 25C080T/SN
PNEDA編號 25C080T-SN
描述 IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

25C080T/SN資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號25C080T/SN
類別半導體內存IC內存

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25C080T/SN規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

32Gb (1G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-VFBGA

供應商設備包裝

200-VFBGA (10x14.5)

MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

14.4ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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