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25LC020AT-E/MNY

25LC020AT-E/MNY

僅供參考

型號 25LC020AT-E/MNY
PNEDA編號 25LC020AT-E-MNY
描述 IC EEPROM 2K SPI 10MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

25LC020AT-E/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號25LC020AT-E/MNY
類別半導體內存IC內存

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25LC020AT-E/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存格式

EEPROM

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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