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2A01G-T

2A01G-T

僅供參考

型號 2A01G-T
PNEDA編號 2A01G-T
描述 DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2A01G-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2A01G-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
2A01G-T, 2A01G-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 131.07 KB)
PDF2A07G-T數據表 封面
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2A01G-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-15
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 24000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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