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2DB1132Q-13

2DB1132Q-13

僅供參考

型號 2DB1132Q-13
PNEDA編號 2DB1132Q-13
描述 TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2DB1132Q-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2DB1132Q-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2DB1132Q-13, 2DB1132Q-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 305.34 KB)
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2DB1132Q-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡190MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

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