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2N1483

2N1483

僅供參考

型號 2N1483
PNEDA編號 2N1483
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $2,269.2274
50 ---------- $2,162.8574
100 ---------- $2,056.4873
200 ---------- $1,950.1173
400 ---------- $1,861.4756
500 ---------- $1,772.8339
庫存 148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N1483資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N1483
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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  • 2N1483 Distributor

2N1483規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

290 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-92-3

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 120mA, 12A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 6A, 3V

功率-最大

150W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

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