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2N2060L

2N2060L

僅供參考

型號 2N2060L
PNEDA編號 2N2060L
描述 TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2060L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2060L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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2N2060L規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 5V
功率-最大2.12W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 4mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 4mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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