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2N2060M

2N2060M

僅供參考

型號 2N2060M
PNEDA編號 2N2060M
描述 TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2060M資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2060M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
2N2060M, 2N2060M數據表 (總頁數: 6, 大小: 592.4 KB)
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2N2060M規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)2nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 5V
功率-最大3W
頻率-過渡60MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 125mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

375mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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