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2N2102S

2N2102S

僅供參考

型號 2N2102S
PNEDA編號 2N2102S
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2102S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2102S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N2102S規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20A, 4V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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1A

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25000 @ 200mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

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