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2N2432AUB

2N2432AUB

僅供參考

型號 2N2432AUB
PNEDA編號 2N2432AUB
描述 BJTS
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2432AUB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2432AUB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N2432AUB規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1mA, 5V
功率-最大360mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

420mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

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