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2N2605UB

2N2605UB

僅供參考

型號 2N2605UB
PNEDA編號 2N2605UB
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 18 - 一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2605UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2605UB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N2605UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

285mV @ 450mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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750mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 135mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 400mA, 5V

功率-最大

950mW

頻率-過渡

-

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150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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