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2N2918

2N2918

僅供參考

型號 2N2918
PNEDA編號 2N2918
描述 TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N2918資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N2918
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
2N2918, 2N2918數據表 (總頁數: 6, 大小: 577.01 KB)
PDF2N2918數據表 封面
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2N2918規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 10µA, 5V
功率-最大600mW
頻率-過渡60MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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