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2N3019

2N3019

僅供參考

型號 2N3019
PNEDA編號 2N3019_105
描述 TRANS NPN 80V 1A
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3019資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3019
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3019規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

255mV @ 50mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

80W

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4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

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60W

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

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