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2N4016

2N4016

僅供參考

型號 2N4016
PNEDA編號 2N4016
描述 TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4016資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4016
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
2N4016, 2N4016數據表 (總頁數: 5, 大小: 334 KB)
PDF2N5796數據表 封面
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2N4016規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce135 @ 1mA, 5V
功率-最大600mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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