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2N4117A

2N4117A

僅供參考

型號 2N4117A
PNEDA編號 2N4117A
描述 DIE MOSFET N-CH 40V
制造商 MICROSS/On Semiconductor
單價
1 ---------- $4.3692
250 ---------- $4.1643
500 ---------- $3.9595
1,000 ---------- $3.7547
2,500 ---------- $3.5841
5,000 ---------- $3.4134
庫存 14,799
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4117A資源

品牌 MICROSS/On Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4117A
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2N4117A規格

制造商MICROSS/On Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

12mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 4nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V (VGS)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

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