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2N4391

2N4391

僅供參考

型號 2N4391
PNEDA編號 2N4391_243
描述 MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $431.6022
50 ---------- $411.3708
100 ---------- $391.1395
200 ---------- $370.9081
400 ---------- $354.0487
500 ---------- $337.1892
庫存 99
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4391資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4391
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4391, 2N4391數據表 (總頁數: 7, 大小: 59.98 KB)
PDF2N4393-E3數據表 封面
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2N4391規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)50mA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 20V
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大1.8W
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 0V

電阻-RDS(On)

85 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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