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2N4392-E3

2N4392-E3

僅供參考

型號 2N4392-E3
PNEDA編號 2N4392-E3
描述 MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4392-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4392-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4392-E3, 2N4392-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 59.98 KB)
PDF2N4393-E3數據表 封面
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  • 2N4392-E3 Distributor

2N4392-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)25mA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 20V
電阻-RDS(On)60 Ohms
功率-最大1.8W
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 5V

電阻-RDS(On)

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30mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

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-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200mA @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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