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2N4957

2N4957

僅供參考

型號 2N4957
PNEDA編號 2N4957
描述 RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 651
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4957資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4957
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2N4957規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
增益25dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-72

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

增益

-

功率-最大

750mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

BFP420H6327XTSA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

21dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

BFY90

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.3GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB ~ 5dB @ 500MHz

增益

20dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 25mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

10A060

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

24V

頻率-過渡

1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 8.5dB

功率-最大

21W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 400mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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