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2N5039

2N5039

僅供參考

型號 2N5039
PNEDA編號 2N5039_105
描述 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5039資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5039
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5039, 2N5039數據表 (總頁數: 5, 大小: 452.82 KB)
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2N5039規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)75V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 5A, 20A
當前-集電極截止(最大值)50mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2A, 5V
功率-最大140W
頻率-過渡60MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 5A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15A, 4V

功率-最大

125W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

225 @ 10mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 15mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 1V

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