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2N5109

2N5109

僅供參考

型號 2N5109
PNEDA編號 2N5109_5E
描述 RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5109資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5109
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2N5109規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡1.2GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益12dB
功率-最大2.5W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 50mA, 15V
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

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制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

118MHz ~ 136MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.4dB

功率-最大

15W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

5.8dB

功率-最大

117W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

M111

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

9dB ~ 11dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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