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2N5172

2N5172

僅供參考

型號 2N5172
PNEDA編號 2N5172
描述 TRANS NPN 25V 0.1A TO-92
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 58,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5172資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5172
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N5172規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 10V
功率-最大625mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 4mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

1.6GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

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