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2N5179

2N5179

僅供參考

型號 2N5179
PNEDA編號 2N5179
描述 RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5179資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5179
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2N5179, 2N5179數據表 (總頁數: 3, 大小: 616.7 KB)
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2N5179規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡2GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)4.5dB @ 200MHz
增益15dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-72

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 110mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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-

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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