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2N5307

2N5307

僅供參考

型號 2N5307
PNEDA編號 2N5307
描述 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 3 - 三月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5307資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5307
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5307, 2N5307數據表 (總頁數: 4, 大小: 57.55 KB)
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2N5307規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.4V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 2mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

18MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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