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2N5366

2N5366

僅供參考

型號 2N5366
PNEDA編號 2N5366
描述 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5366資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5366
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N5366規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 3A, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2.5A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

150W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.35W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 50mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 100mA, 2V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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