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2N5401,116

2N5401,116

僅供參考

型號 2N5401,116
PNEDA編號 2N5401-116
描述 TRANS PNP 150V 0.3A TO-92
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5401資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5401,116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5401, 2N5401數據表 (總頁數: 6, 大小: 52.6 KB)
PDF2N5401數據表 封面
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2N5401規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 5V
功率-最大630mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

700MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 75mA, 600mA

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100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 5V

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70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 200mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

175 @ 1A, 5V

功率-最大

3W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-PowerSMD, Flat Leads

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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