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2N5457_L99Z

2N5457_L99Z

僅供參考

型號 2N5457_L99Z
PNEDA編號 2N5457_L99Z
描述 IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5457_L99Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5457_L99Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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  • 2N5457_L99Z Distributor

2N5457_L99Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大310mW
工作溫度135°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92 (TO-226)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.1pF @ 5V

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功率-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

18 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

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-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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