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2N5459_D75Z

2N5459_D75Z

僅供參考

型號 2N5459_D75Z
PNEDA編號 2N5459_D75Z
描述 JFET N-CH 25V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5459_D75Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5459_D75Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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  • 2N5459_D75Z Distributor

2N5459_D75Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)4mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.5mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

200 Ohms

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 12V (VGS)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

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55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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