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2N5551RLRAG

2N5551RLRAG

僅供參考

型號 2N5551RLRAG
PNEDA編號 2N5551RLRAG
描述 TRANS NPN 160V 0.6A TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5551RLRAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5551RLRAG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2N5551RLRAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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1A

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 500mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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300mA

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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Through Hole

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

10W

頻率-過渡

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工作溫度

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