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2N5639RLRAG

2N5639RLRAG

僅供參考

型號 2N5639RLRAG
PNEDA編號 2N5639RLRAG
描述 JFET N-CH 35V 0.31W TO92
制造商 ON Semiconductor
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庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5639RLRAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5639RLRAG
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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2N5639RLRAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)25mA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10pF @ 12V (VGS)
電阻-RDS(On)60 Ohms
功率-最大310mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

3 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

80 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

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安裝類型

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